MBE

Nome laboratorio: MBE – Molecular Beam Epitaxy by DCA Instruments
Responsabile scientifico: Prof. Antonio Terrasi
Luogo: Ed 6 (piano -1)

All’interno del Laboratorio MBE sono installate una macchina di deposizione (MBE), un sistema di annealing tubolare per trattamenti in flusso, un sistema di Rapid Thermal Annealing ed un forno statico.
È inoltre presente una camera bianca  di classe 100, che ospita un sistema per effettuare litografia ottica (Mask-Aligner) ed una Cappa Chimica, cappa chimica necessaria per processi che producono sostanze volatili potenzialmente pericolose.
L’MBE è un sistema allo stato dell’arte che consente di depositare, tramite evaporazione termica o da fascio elettronico, film sottili (con spessore di pochi nanometri) su wafer aventi fino a 6” di diametro. La crescita avviene all’interno di una camera mantenuta in condizioni di Ultra-Alto Vuoto (10-10 mbar). L’MBE è dotato di strumento di analisi in situ RHEED (Reflection High Energy Electron Diffraction), utile per osservare l’immagine di diffrazione elettronica della superficie del substrato, e di un rate monitor (microbilancia a quarzo), per misurare in tempo reale il ritmo di deposizione del materiale evaporato.
La deposizione fisica da fase vapore rappresenta una tecnica di deposizione molto usata nella ricerca di base per studiare semiconduttori intrinseci e drogati, ossidi e strutture a multistrato. Negli ultimi anni il sistema MBE è utilizzato principalmente per crescere strati molto sottili di semiconduttori ed ossidi, che risultano particolarmente innovativi per applicazioni nell’elettronica, nella sensoristica e nel fotovoltaico.
 

Attrezzature

21GV High Performance vacuum oven by Galli
	Stufa da vuoto con temperature di operazione comprese tra 10°C e 200°C. Il sistema è equipaggiato con rubinetto di regolazione della pressione interna e pompa rotativa per controllare la pressione interna alla camera durante il processo

TF – Tubular furnace by Carbolite
	Forno a flusso tubolare con temperature di operazione fino a 1200°C. I gas inlet sono collegati a bombole di azoto, ossigeno, forming gas, e sono regolabili attraverso flussimetri di precisione. Il forno dispone di controller per processi ampiamente personalizzabili in durata e temperature.