FISICA DELLE NANOSTRUTTURE
Anno accademico 2015/2016 - 2° anno - Curriculum FISICA DELLA MATERIACrediti: 6
SSD: FIS/01 - FISICA SPERIMENTALE
Organizzazione didattica: 150 ore d'impegno totale, 102 di studio individuale, 48 di lezione frontale
Semestre: 1°
Obiettivi formativi
Acquisire una formazione approfondita nel campo delle proprietà fisiche e di trasporto dei materiali nano strutturati e delle tecnologie innovative per la realizzazione di tali materiali. Lo studente dovrà essere in grado di identificare come i processi di conduzione attestati nei sistemi massivi si modificano con la riduzione delle dimensioni e quindi sviluppare capacità di progettazione di sistemi nano strutturati per applicazioni specifiche.
Prerequisiti richiesti
Termodinamica, Elettromagnetismo, Meccanica quantistica, Struttura della materia, Fisica dello stato solido, Fisica dei semiconduttori
Frequenza lezioni
obbligatoria
Contenuti del corso
1) Introduzione: Fisica mescoscopica e nanotecnologie
Trends in nanoelettronica-Lunghezze caratteristiche in sistemi mesoscopici-Coerenza quantistica-Quantum wells, wires, dots-Densità degli stati e dimensionalità-Eterostrutture a semiconduttore
2) Richiamo di alcuni concetti di fisica dello stato solido
Dualismo onda-particella e principio di Heisenberg-Equazione di Schrödinger e applicazioni elementari-Distribuzione di Fermi-Dirac-Modello ad elettroni liberi per un solido-Funzione densità degli stati-Teorema di Bloch-Elettroni in un solido cristallino-Dinamica degli elettroni in bande energetiche (equazione del moto, massa efficace, lacune)-Vibrazioni reticolari e fononi
3) Richiamo di alcuni concetti di fisica dei semiconduttori
Bande di energia nei semiconduttori-Semiconduttori intrinseci ed estrinseci-Concentrazioni di elettroni e lacune nei semiconduttori-Proprietà di trasporto elementari nei semiconduttori (Trasporto in un campo elettrico, mobilità; conduzione per diffusione; equazione di continuità, tempo di vita dei portatori e lunghezza di diffusione)-Semiconduttori degeneri
4) Fisica dei semiconduttori a bassa dimensionalità
Proprietà fondamentali di nanostrutture a semiconduttore bidimensionali-Quantum well-Quantum wires-Quantum dots- Diagramma a bande per quantum wells
5) Nanostrutture a semiconduttore ed eterostrutture
Strutture MOSFET-Eterogiunzioni-Quantum well multiple-Eterostrutture (il concetto di eterostruttura ed il modello di Kronig-Penney)
6) Trasporto da campo elettrico nelle nanostrutture
Trasporto parallelo (meccanismi di scattering elettronico, alcune osservazioni sperimentali)-Trasporto perpendicolare (Tunneling risonante, effetti di campo elettrico nelle eterostrutture)-Trasporto quantistico nelle nanostrutture (Conduttanza quantizzata; formula di Landauer; Formula di Landauer-Büttiker; Coulomb blockade)
7) Trasporto da campo magnetico nelle nanostrutture ed effetto Hall quantistico
Effetto di un campo magnetico su un cristallo-Sistemi a bassa dimensionalità in un campo magnetico-densità degli stati di un sistema bidimensionale in un campo magnetico-L’effetto Aharonov-Bohm-l’effetto Shubnikov-de Haas-L’effetto Hall quantistico intero (fatti sperimentali e teoria elementare; stati di confine, stati estesi e stati localizzati)-L’effetto Hall quantistico frazionario
8) Dispositivi elettronici basati su nanostrutture
MODFET-Transistor bipolare ad eterogiunzione-Transistor a tunnelling risonante- Diodo Esaki-Transistor a singolo elettrone-Transistor a base grafene.
Testi di riferimento
1) “Nanotechnology for Microelectronics and Optoelectronics”, J. M. Martinez-Duart, R. J. Martin-Palma, F. Agullo-Rueda, Elsevier 2006
2) “Quantum Transport-Atom to transistor”, S. Datta, Cambridge University Press 2005
3) “Transport in Nanostructures”, D. K. Ferry, S. M. Goodnick, J. Bird, Cambridge University Press 2009
4) “The Physics of low-dimensional semiconductors-an introduction”, J. H. Davies, Cambridge University Press 1998.
Programmazione del corso
* | Argomenti | Riferimenti testi | |
---|---|---|---|
1 | * | Introduzione: Fisica mescoscopica e nanotecnologie Trends in nanoelettronica-Lunghezze caratteristiche in sistemi mesoscopici-Coerenza quantistica-Quantum wells, wires, dots-Densità degli stati e dimensionalità-Eterostrutture a semiconduttore | 1,3 |
2 | * | Richiamo di alcuni concetti di fisica dello stato solido Dualismo onda-particella e principio di Heisenberg-Equazione di Schrödinger e applicazioni elementari-Distribuzione di Fermi-Dirac-Modello ad elettroni liberi per un solido-Funzione densità degli st | 1,4 |
3 | * | Richiamo di alcuni concetti di fisica dei semiconduttori Bande di energia nei semiconduttori-Semiconduttori intrinseci ed estrinseci-Concentrazioni di elettroni e lacune nei semiconduttori-Proprietà di trasporto elementari nei semiconduttori (Trasporto in | 1,4 |
4 | * | Fisica dei semiconduttori a bassa dimensionalità Proprietà fondamentali di nanostrutture a semiconduttore bidimensionali-Quantum well-Quantum wires-Quantum dots- Diagramma a bande per quantum wells | 1,2,3,4 |
5 | * | Nanostrutture a semiconduttore ed eterostrutture Strutture MOSFET-Eterogiunzioni-Quantum well multiple-Eterostrutture (il concetto di eterostruttura ed il modello di Kronig-Penney) | 1,2,3,4 |
6 | * | Trasporto da campo elettrico nelle nanostrutture Trasporto parallelo (meccanismi di scattering elettronico, alcune osservazioni sperimentali)-Trasporto perpendicolare (Tunneling risonante, effetti di campo elettrico nelle eterostrutture)-Trasporto quantis | 1,2,3,4 |
7 | * | Trasporto da campo magnetico nelle nanostrutture ed effetto Hall quantistico Effetto di un campo magnetico su un cristallo-Sistemi a bassa dimensionalità in un campo magnetico-densità degli stati di un sistema bidimensionale in un campo magnetico-L’effett | 1,2,3,4 |
8 | * | Dispositivi elettronici basati su nanostrutture MODFET-Transistor bipolare ad eterogiunzione-Transistor a tunnelling risonante- Diodo Esaki-Transistor a singolo elettrone-Transistor a base grafene. | 1,2,3,4 |
N.B. La conoscenza degli argomenti contrassegnati con l'asterisco è condizione necessaria ma non sufficiente per il superamento dell'esame. Rispondere in maniera sufficiente o anche più che sufficiente alle domande su tali argomenti non assicura, pertanto, il superamento dell'esame.
Verifica dell'apprendimento
Modalità di verifica dell'apprendimento
L'esame si svolge in una presentazione/tesina sviluppata dallo studente su un argomento inerente il programma del corso e concordato con i docenti. Prendendo spunto dalla presentazione/tesina sviluppata dallo studente, seguiranno domande sulla restante parte del programma.